东芝和西部数据现正研发128层3D NAND：最早2020年上市

zhaorong · 发表于新闻资讯 2019-3-7 16:35:38


	本帖最后由 zhaorong 于 2019-4-28 16:23 编辑 3月7日消息根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心该芯片的数据密度为512 Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33％，可以在2020 到2021年实现商业化生产。据报道，新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB / s据报道该芯片还采用了CuA（阵列电路）这是一种设计创新，节省了15％的芯片尺寸。

katter · 发表于 2019-3-8 09:18:02

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